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三星S8将配高密度8GB RAM 性能伴随功耗提升

2017-01-10  来源:腾讯数码  作者:米可

之前曾有消息透露,三星的下一代旗舰Galaxy S8将配备8GB的超大运行内存,但是如何在一台超轻薄的智能手机上安装8GB这么大容量的运行内存,对于三星的设计和组装工艺也是一个考验。

不过近日SK Hynix正式宣布已经成功制造出了双8 Gigabit的双通道四层堆叠工艺运行内存,而这正是使用在智能手机上的8GB RAM所必须的组件。对于SK Hynix来说其实大家并不陌生,之前正是该公司在2013年首次宣布制造出了第一块1GB DDR3移动RAM芯片。

根据SK Hynix介绍,这种新的封装工艺要比现有LPDDR4移动芯片的空间占用少30%,同时功率消耗降低20%。这种新的工艺被称作LPDDR4X,并且在今年将拥有非常大的市场需求。基本上包括Galaxy S8和iPhone 8在内的主流旗舰智能手机,都会采用这种全新工艺的运行内存芯片。

虽然我们不确定苹果是否会为iPhone 8配备8GB的RAM,毕竟这对于苹果来说是一个非常激进的变化。但是至少在Galaxy S8上看到这种新的高密度RAM可能性还是相当高。

不过现在距离9月苹果的发布会还有相当长一段时间,因此到时候库克是否会为十周年纪念的iPhone 8“大动干戈”,现在谁也说不好。

 

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